Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4441P-AU_R2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4441P

PJQ4441P-AU_R2_000A1 Hakkında

PJQ4441P-AU_R2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. 8.5A (Ta) / 44A (Tc) drain akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. Maksimum 17mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır, yüksek frekans anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Surface mount DFN3333-8 paketinde sunulan bu bileşen, 2W (Ta) / 59.5W (Tc) güç atışı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2030 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok