Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ4416EP_R2_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ4416EP
PJQ4416EP_R2_00001 Hakkında
PJQ4416EP_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 11A sürekli dren akımı (Ta) ve 30A maksimum kapasite (Tc) ile tasarlanmıştır. 11mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. DFN3333-8 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. 2W (Ta) / 26W (Tc) güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç seviyeleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1117 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok