Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4413P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4413P

PJQ4413P_R2_00001 Hakkında

PJQ4413P_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 5A sürekli dren akımı ve 50mΩ RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DFN3333-8 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate Charge 4.8nC, Input Capacitance 516pF özellikleriyle hızlı anahtarlamayı destekler. Motor kontrol, güç yönetimi devreleri, LED sürücüler ve DC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 516 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok