Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ4411P_R2_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ4411P
PJQ4411P_R2_00001 Hakkında
PJQ4411P_R2_00001, PANJIT üretimi 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. 13A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 60A maksimum akımı (Tc) ile güç uygulamalarında kullanılır. 8mΩ RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. DFN3333-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve batarya koruma uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4.5V gate voltajında 46.8nC kapı yükü ve 4659pF giriş kapasitansı özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici ürünlerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4659 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN3333-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok