Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4407P_R1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4407P

PJQ4407P_R1_00001 Hakkında

PJQ4407P, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 8.5A (Ta) / 30A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 20mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. DFN3333-8 yüzey montaj paketi içinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Pil yönetimi sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1169 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok