Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ4401P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PJQ4401P

PJQ4401P_R2_00001 Hakkında

PJQ4401P_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. DFN3333-8 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10A sürekli dren akımı (Ta) veya 50A (Tc) kapasitesi ile çalışır. 8.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iç direnç sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 60W (Tc) güç dağıtabilir. 27nC gate charge ve 3228pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygunluğunu gösterir. Güç kaynağı yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3228 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok