Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJQ2461_R1_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PJQ2461

PJQ2461_R1_00001 Hakkında

PJQ2461_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 2.4A sürekli dren akımı ve 190mΩ Rds(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-WDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluk tasarımlarına uyum gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package DFN2020B-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok