Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ2461-AU_R1_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ2461
PJQ2461-AU_R1_000A1 Hakkında
PJQ2461-AU_R1_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 2.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltajı aralığında çalışabilen bu bileşen, 170mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplı tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Surface mount 6-WDFN paketinde sunulan transistör, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 8.3nC gate charge ve 430pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon gerektiren devrelerde etkili sonuçlar sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020B-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok