Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ2408_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ2408
PJQ2408_R1_00001 Hakkında
PJQ2408_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 6-WDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, 11.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kaptan yükü (6.9nC) sayesinde verimli devre tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 781 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020B-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok