Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ2407_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ2407
PJQ2407_R1_00001 Hakkında
PJQ2407_R1_00001, PANJIT üretimi 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. Maksimum 8.4A drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 20mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun hale getirir. 6-WDFN DFN2020B-6 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1169 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020B-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok