Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ2405_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ2405
PJQ2405_R1_00001 Hakkında
PJQ2405_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 7.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük RDS(on) değeri (32mΩ @ 7.2A, 4.5V) sayesinde güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı kontrolü, batarya yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1785 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020B-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok