Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ1917_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ1917
PJQ1917_R1_00001 Hakkında
PJQ1917_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 700mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 600mOhm maksimum RDS(On) değeri ile etkili şalteleme performansı sağlar. DFN1006-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 1.1nC düşük gate charge karakteristiğine ve 51pF input kapasitansına sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, tüketici elektroniği, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve low-side sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 500mW maksimum güç disipasyonu ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 51 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok