Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJQ1902_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- 3-UFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJQ1902
PJQ1902_R1_00001 Hakkında
PJQ1902_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 500mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 1.2Ω maksimum RDS(ON) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 3-UFDFN (0.6x1mm) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. LED sürücüler, DC-DC dönüştürücüler, elektrik anahtarları ve düşük voltaj lojik kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | 3-DFN (0.6x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok