Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP9NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP9NA90
PJP9NA90_T0_00001 Hakkında
PJP9NA90_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 9A sürekli drain akımı kapasitesi ve 1.4Ω maksimum RDS(on) değeriyle (10V, 4.5A koşullarında), endüstriyel güç kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve adaptörler gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sağlar. 205W güç dissipasyon kapasitesi ve ±30V gate voltaj aralığı, sistem tasarımcılarına esneklik ve kontrol imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1634 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 205W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok