Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP8NA65A_T0_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP8NA65A
PJP8NA65A_T0_00001 Hakkında
PANJIT PJP8NA65A_T0_00001, 650V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistördür. 7.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 1.2Ω maksimum on-direnci sunar. 145W maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uyygundur. TO-220-3 paketinde temin edilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1245 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 145W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok