Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP8NA50_T0_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP8NA50
PJP8NA50_T0_00001 Hakkında
PJP8NA50 500V N-Channel MOSFET, PANJIT tarafından üretilen yüksek voltaj anahtarlama transistörüdür. 8A sürekli dren akımı ve 500V dren-kaynak gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu MOSFET, inverter devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve diğer anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V sürüş geriliminde 900mOhm kapalı durumda iç direnç ve 16.2nC kapı yükü ile düşük ısıl kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 826 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 134W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok