Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP6NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP6NA90
PJP6NA90_T0_00001 Hakkında
PJP6NA90_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. 6A drain akımı ve 2.3Ohm maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 167W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile ağır yük uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 915 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok