Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP60R620E_T0_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP60R620E
PJP60R620E_T0_00001 Hakkında
PJP60R620E_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel Super Junction MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenmek üzere tasarlanmıştır. 1.2A (Ta) ile 7A (Tc) arasında sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 620mΩ on-direnç değeri ile enerji verimliliği sağlar. ±20V kapı-kaynak gerilimi sınırı ve 4V eşik gerilimi ile kontrol edilebilir. Gate charge değeri 21nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, AC-DC konverterler ve switched-mode power supplies gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta), 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 457 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok