Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP60R190E_T0_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP60R190E
PJP60R190E_T0_00001 Hakkında
PJP60R190E_T0_00001, PANJIT üretimi 600V N-Channel Super Junction MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V gate voltajında 10A dren akımında 196mOhm On-direnci sunarak verimli anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 2W (Ta) / 231W (Tc) güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 62nC gate charge ve 1421pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, LED sürücüleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı toleransı ile güvenli çalışma imkanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta), 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1421 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok