Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP4NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP4NA90
PJP4NA90_T0_00001 Hakkında
PJP4NA90_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevleri için tasarlanmıştır. 4A sürekli dren akımı kapasitesi ve 3.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 140W güç dissipasyonu ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel, güç dönüştürme ve motor kontrol devrelerinde kullanılabilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok