Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP4NA65_T0_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP4NA65
PJP4NA65_T0_00001 Hakkında
PJP4NA65_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri devrelerinde kullanılır. 2.7Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. İleri beslemeli çevirici, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 100W güç dağıtımına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 463 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok