Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP4NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP4NA60
PJP4NA60_T0_00001 Hakkında
PJP4NA60_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli drain akımı ve 2.4Ω on-state direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600V drain-source voltaj desteği sayesinde yüksek voltajlı güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü ve güç kaynağı tasarımlarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 100W güç tüketim kapasitesine sahip bu MOSFET, 10V gate sürüş voltajı ile kontrol edilir. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok