Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJP45N06A_T0_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
PJP45N06A

PJP45N06A_T0_00001 Hakkında

PJP45N06A_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 55A sürekli dren akımı kapasitesi ve 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. ±20V maksimum gate gerilimi ve -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesi sağlar. 96W maksimum güç harcaması ve 39nC gate charge değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2256 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok