Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP3NA80_T0_00001
800V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP3NA80
PJP3NA80_T0_00001 Hakkında
PJP3NA80_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Maksimum 106W güç tüketimi ve 4.8Ω Rds(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel ünitelerde, güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek gerilim dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 406 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok