Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJP2NA90_T0_00001

900V N-CHANNEL MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
PJP2NA90

PJP2NA90_T0_00001 Hakkında

PJP2NA90_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. 2A sürekli drenaj akımı ve 6.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarına uygun bir bileşendir. TO-220 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve yüksek voltaj anahtarlaması gerektiren endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi ve 80W güç dağılım kapasitesi, çeşitli ortam koşullarında güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 396 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok