Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP2NA1K_T0_00001
1000V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP2NA1K
PJP2NA1K_T0_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PJP2NA1K_T0_00001, 1000V dayanım voltajına sahip N-Channel MOSFET transistördür. 2A sürekli dren akımı kapasitesine ve 9Ω maksimum RDS(on) değerine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması görevini yerine getirir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 80W güç saçabilir. 4V kapı eşik voltajı ve ±30V maksimum kapı gerilimi ile kontrol edilebilen bu MOSFET, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 385 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok