Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJP18N20_T0_00001

TO-220AB, MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
PJP18N20

PJP18N20_T0_00001 Hakkında

PJP18N20_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 200V Drain-Source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V kapı gerilimi uygulanması durumunda 160mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile karakterizedir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 89W maksimum güç dağılımı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun hale getirmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1017 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok