Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJP100P03_T0_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJP100P03
PJP100P03_T0_00001 Hakkında
PJP100P03_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 15.8A sürekli drenaj akımı (Ta), 100A kapasite (Tc) ile tasarlanmıştır. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Gate Charge 107nC, Input Capacitance 6067pF özellikleriyle hızlı komütasyon yapabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, inverter devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 119W maksimum power dissipation kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6067 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok