Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJMF900N65E1_T0_00001

650V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PJMF900N65E1

PJMF900N65E1_T0_00001 Hakkında

PANJIT PJMF900N65E1_T0_00001, 650V Super Junction N-Channel MOSFET transistördür. 4.7A sürekli drenaj akımı ve 900mOhm (10V, 1.5A) RDS(on) değeri ile enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltajı aralığında çalışan bu transistör, TO-220-3 paketinde sunulmuştur. Güç kaynakları, anahtarlama devreleri, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 382 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB-F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok