Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJMF900N60E1_T0_00001
600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJMF900N60E1
PJMF900N60E1_T0_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PJMF900N60E1, 600V dayanımlı N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction EAS teknolojisi kullanılarak tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.4A sürekli drenaj akımı ve maksimum 900mOhm RDS(on) değeri ile orta-yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, SMPS (Switch Mode Power Supplies), inverter uygulamaları ve yüksek voltajlı kontrolörlerde kullanılmaktadır. 11.5nC kapı yükü ve düşük giriş kapasitesi hızlı anahtarlama sağlar. ±30V maksimum gerilim dayanımı ve izole edilmiş tab tasarımı ısı yönetimini kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 344 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 23.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB-F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok