Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJMF580N60E1_T0_00001

600V SUPER JUNCITON MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PJMF580N60E1

PJMF580N60E1_T0_00001 Hakkında

PANJIT tarafından üretilen PJMF580N60E1_T0_00001, 600V Super Junction MOSFET teknolojisine dayanan N-Channel bir güç transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8A sürekli dren akımı kapasitesi ve 580mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel uygulamalar gibi alanlarda tercih edilir. ±30V gate gerilimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş çevre koşullarına uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 497 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 580mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB-F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok