Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJMF280N65E1_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJMF280N65E1
PJMF280N65E1_T0_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PJMF280N65E1_T0_00001, 650V Super Junction MOSFET teknolojisine dayalı N-channel güç transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 13.8A sürekli drain akımı kapasitesine ve 280mOhm maksimum açık kanal direncine sahiptir. Gate charge değeri 30nC olup, ±30V maksimum gate-source gerilimi ile çalışmaktadır. Sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmekte olup, 35.7W maksimum güç yayabilmektedir. Input capacitance 1040pF olarak ölçülmüştür. Bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motorun hız kontrolü gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1040 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB-F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok