Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJMF190N60E1_T0_00001

600V SUPER JUNCITON MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PJMF190N60E1

PJMF190N60E1_T0_00001 Hakkında

PANJIT tarafından üretilen PJMF190N60E1, 600V dayanım sınıfında N-Channel Super Junction MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 20A sürekli dren akımı ve 190mΩ maksimum Rds(On) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V kapı gerilimi ve -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve ticari sistemlerde tercih edilir. Switch-mode güç kaynakları, invertörler ve yüksek frekanslı dönüştürücülerde yer alan bu transistör, verimli enerji iletimini sağlamak üzere tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1410 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB-F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok