Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJMF130N65EC_T0_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PJMF130N65EC

PJMF130N65EC_T0_00001 Hakkında

PANJIT PJMF130N65EC_T0_00001, 650V Super Junction MOSFET teknolojisi ile tasarlanmış N-Channel transistördür. TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab paketinde sunulan bu bileşen, 29A sürekli dren akımı kapasitesi ve 130mΩ maksimum Rds(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 33W maksimum güç tüketimi özellikleri bulunan bu MOSFET, güç kaynakları, güç dönüştürücüler, fotovoltaik inverterleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. 51nC gate charge ve düşük input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1920 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 10.8A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB-F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok