Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJMD990N65EC_L2_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJMD990N65EC
PJMD990N65EC_L2_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PJMD990N65EC_L2_00001, 650V derecelendirilmiş N-Channel Super Junction MOSFET'tir. 4.7A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 990mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. 47.5W güç dağıtım kapasitesi ile güç elektronikleri, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri ve invertörler gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 306 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 47.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok