Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJMD900N60EC_L2_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJMD900N60EC
PJMD900N60EC_L2_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PJMD900N60EC_L2_00001, 600V drain-source voltaj ile tasarlanmış N-Channel Super Junction MOSFET'tir. 5A sürekli dren akımı, 900mΩ maksimum kapalı-devre direnci ve TO-252 (DPak) yüzey montaj paketlemesiyle yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.8nC gate yükü ve 310pF giriş kapasitansi ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, SMPS devreleri ve elektrik motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 47.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok