Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJMD360N60EC_L2_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJMD360N60EC
PJMD360N60EC_L2_00001 Hakkında
PANJIT tarafından üretilen PJMD360N60EC_L2_00001, 600V Super Junction MOSFET teknolojisine dayalı N-channel güç transistörüdür. 11A sürekli dren akımı (Tc) ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 87.5W güç tüketimi ve 360mOhm on-state direnci (Rds On) özellikleriyle anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. TO-252 paketinde sunulan komponent, endüstriyel invertörler, SMPS (switched-mode power supplies), motor sürücüleri ve güç faktörü düzeltme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 735 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 87.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok