Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJF60R620E_T0_00001

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PJF60R620E

PJF60R620E_T0_00001 Hakkında

PJF60R620E_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 600V N-Channel Super Junction MOSFET transistörüdür. TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. 1.2A (Ta) / 7A (Tc) sürekli dren akımı ve 620mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji dönüştürme sistemlerinde, şarj devreleri ve inverter uygulamalarında tercih edilir. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlayan bu MOSFET, 45W (Tc) güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta), 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 457 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.04W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 2.4A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok