Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJF4NA65H_T0_00001

650V N-CHANNEL MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PJF4NA65H

PJF4NA65H_T0_00001 Hakkında

PJF4NA65H_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 10V gate sürüş voltajında 3.75Ω maksimum RDS(on) değeri ile iyi iletkenlik özellikleri sunar. TO-220-3 Full Pack izole tab paketinde gelen transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. 23W güç dağılımı kapasitesi, enerji dönüştürme devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. 16.1 nC gate charge ve 423 pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun karakteristikler sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 423 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok