Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJF3NA80_T0_00001

800V N-CHANNEL MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PJF3NA80

PJF3NA80_T0_00001 Hakkında

PJF3NA80_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi görevleri için tasarlanmıştır. 3A sürekli drenaj akımı ve 4.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji iletimini sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve yüksek gerilim dönüştürücü devrelerde kullanılır. Gate kapasitansı 406 pF ve gate şarjı 11 nC olarak belirtilen transistör, hızlı anahtarlama özellikleri nedeniyle endüstriyel kontrol ve elektrik güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 406 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package ITO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok