Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJF18N20_T0_00001
200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJF18N20
PJF18N20_T0_00001 Hakkında
PJF18N20_T0_00001, PANJIT tarafından üretilen 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 18A sürekli drenaj akımı ve 160mΩ RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve invertör tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 50W güç disipasyonuna sahiptir. Gate threshold voltajı 3V'da ölçülen bu transistör, dijital lojik seviyelerinden doğrudan sürülebilir. Endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında anahtarlama elementi olarak kullanılan güvenilir bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1017 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok