Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJE8472B_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJE8472B
PJE8472B_R1_00001 Hakkında
PANJIT PJE8472B_R1_00001, 60V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 200mA sürekli dren akımı kapasitesi ve 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç uygulamaları için uygun bir bileşendir. SOT-523 yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, ±30V gate-source gerilimi toleransı ile çeşitli kontrol ve anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, maksimum 300mW güç tüketimi ile düşük güç tüketimli tasarımlarda tercih edilir. Gate charge değeri 0.82nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.82 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok