Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJE8412_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJE8412
PJE8412_R1_00001 Hakkında
PJE8412_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. SOT-523 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 350mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate charge değeri 0.87nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve düşük güçlü uygulamalarda kullanılan kompakt bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok