Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJE8407_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJE8407
PJE8407_R1_00001 Hakkında
PJE8407_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 500mA sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmış bu bileşen, 1.2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. SOT-523 yüzey montajlı paket içinde sunulan transistör, düşük güç uygulamalarında anahtar ve sürücü görevleri için uygundur. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sergileyen bu MOSFET, 300mW güç dağıtım kapasitesi ile LED kontrol, batarya yönetimi, ses sistemleri ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 38 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok