Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJE8405_R1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
PJE8405

PJE8405_R1_00001 Hakkında

PJE8405_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. SOT-523 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 500mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 390mOhm (4.5V, 500mA) On-resistance değeri ile güç uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu MOSFET, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, pil yönetimi sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1.6nC gate charge ve düşük input kapasitansi (137pF @ 15V) hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 137 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-523
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok