Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJE8402_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJE8402
PJE8402_R1_00001 Hakkında
PJE8402_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 700mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 150mΩ maksimum Ron (4.5V, 700mA) değeriyle anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. SOT-523 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 1.6nC gate charge ve 92pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 700mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 92 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 700mA, 4,5V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok