Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJE8401_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SOT-523
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJE8401
PJE8401_R1_00001 Hakkında
PJE8401_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. SOT-523 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 900mA sürekli dren akımı kapasitesine ve 130mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) çalışabilen bu FET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük sinyal kontrol devrelerinde kullanılır. 300mW maksimum güç tüketimi ve düşük gate charge karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 416 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 900mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok