Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJE138L_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
PJE138L

PJE138L_R1_00001 Hakkında

PJE138L, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. SOT-523 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 160mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 4.2Ω maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilim toleransı ve 1.5V eşik gerilimi ile dijital lojik devrelerle doğrudan uyumlu olarak çalışır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, PWM kontrol devreleri, düşük güç yönetimi ve sinyal anahtarlaması gibi genel amaçlı MOSFET uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 223mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 160mA, 10V
Supplier Device Package SOT-523
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok