Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD9P06A_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD9P06A
PJD9P06A_L2_00001 Hakkında
PJD9P06A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paket tipinde sunulan bu bileşen, 2.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 190mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve düşük akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8.3nC gate charge değeri hızlı komutasyon özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta), 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok