Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD9N10A_L2_00001
100V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD9N10A
PJD9N10A_L2_00001 Hakkında
PJD9N10A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.4A sürekli drenaj akımına (25°C'de) ve 9A kapasite (soğutucu ile) sahiptir. 152mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 2.5V olup, ±20V maksimum gate gerilimini tolere eder. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi sistemlerinde ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 31W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta), 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1021 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 152mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok